A empresa japonesa Toshiba Semicondutor & Storage anunciou a expansão da sua família de díodos de barreira Schottky (SBD) de carboneto de silício de 650 V (SiC) com a adição de dispositivos de encapsulamento TO-220F-2L com isolamento. Os quatro novos dispositivos expandem a gama de 6A, 8A, 10A e 12A partir dos produtos do actual encapsulamento TO-220-2L.
 
Estes dispositivos SBD fabricados em carboneto de silício (SiC) constituem semicondutores com uma maior diferença entre a transição da banda de valência para a banda de condução e garantem uma quebra de tensão mais elevada do que alguma vez foi possível apenas com dispositivos SBD de silício. Sendo dispositivos unipolares, os SBD de SiC têm tempos de recuperação de inversão extremamente reduzidos e garantem comutações independentes da temperatura, o que os torna ideais para substituição de díodos de recuperação rápida em silício (FRDs Si), permitindo melhorar a eficiência de fontes de alimentação.
 
Os díodos SBD são adequados para aplicações que incluem fontes de alimentação de servidores e condicionadores de energia (UPSs), assim como para inversores em sistemas de geração de energia fotovoltaica. Os novos SBD da Toshiba também podem actuar como substitutos para díodos de silício em circuitos de correcção de factor de potência, onde são 50% mais eficientes de acordo com a investigação feita pela própria Toshiba.
 
Os dispositivos de alimentação SiC oferecem uma operação mais estável do que os dispositivos de silício actuais – mesmo em tensões e correntes elevadas – já que reduzem significativamente a dissipação de calor durante a operação. Estas soluções respondem às diversas necessidades da indústria para dispositivos de comunicação de menor dimensão e mais eficazes, sendo adequados para aplicações industriais que vão de servidores a inversores.
 
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